IRFM250"半導(dǎo)體"一詞指的是僅具有部分導(dǎo)體性質(zhì)的材料,它介于導(dǎo)體和絕緣體之間,根據(jù)所應(yīng)用的電刺激來導(dǎo)電。半導(dǎo)體,通常由硅制成,但現(xiàn)在比以往任何時候都多由碳化硅和氮化鋇組成,真正代表了現(xiàn)代電子的基礎(chǔ)。
IRFM250最常見的半導(dǎo)體材料包括硅、鈰和砷化鎵。銨是有史以來最早使用的半導(dǎo)體材料之一,但自20世紀(jì)50年代以來,它逐漸被棄用,轉(zhuǎn)而使用硅,這是繼碳之后地球上最豐富的元素。砷化鎵也是一種廣泛存在的半導(dǎo)體,但它有幾個局限性,因為它比上述硅更難以大規(guī)模生產(chǎn),而且涉及使用劇毒化學(xué)品。
IRFM250石墨烯有可能超越硅的流行,但大規(guī)模的商業(yè)化可能仍需要很多時間。硅和碳的化合物碳化硅目前在電力電子學(xué)領(lǐng)域很突出,因為它與硅相比具有許多優(yōu)勢。它是超過1200伏的高壓應(yīng)用的最佳選擇,廣泛應(yīng)用于電動車、快速充電系統(tǒng)、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用。
IRFM250
產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-254-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 27.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 105 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 130 ns
高度: 13.84 mm
長度: 13.84 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時間: 190 ns
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 170 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
寬度:6.6 mm
一般而言,半導(dǎo)體在某些特性發(fā)生變化時,會成為絕緣體,能夠控制通過它們的電流流動。在最重要的半導(dǎo)體元件中,人們不能忽視二極管,這是第一個以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電子器件。它具有不對稱性,對一個方向的水流有很高的阻力,對相反方向的阻力很低。
另一個廣泛使用的半導(dǎo)體電子元件是晶體管,這是電子世界的一個革命性元素。它既可以作為開關(guān),也可以作為電信號的放大器,由三層不同層次的半導(dǎo)體材料組成,摻雜在一起,創(chuàng)造出具有不同電氣特性的區(qū)域。通過對基座施加小電流,可以控制在收集器和發(fā)射器之間流動的大得多的電流。
一個現(xiàn)代集成電路可以容納數(shù)十億個晶體管。另一個相當(dāng)流行的成分是MOSFET。它的特點是使用電場來控制兩個不同的端子之間的電流流動。?莫斯費茨 與其他類型的晶體管相比,提供了許多優(yōu)點,如高輸入阻抗、高開關(guān)速度和低電阻(rDS(on)),這些特點很容易使它們成為各種醫(yī)療應(yīng)用的最佳。
毅創(chuàng)騰新到現(xiàn)貨：
KRE 105 500 R1F
BLP9H10S-850AVT
G501
FIXQ6410C1BL-A8
BB175X
555600168
DM3AT-SF-PEJM5
SI1034CX-T1-GE3
STWBC86JR
MSC025SMA120J
NC7WZ17L6X-L22175
IS62WV25616EBLL-45BLI-TR
RV-3032-C7 TA QC
2331-A10FG00DN3T-I23
MS12ASG30
54-00129
ADP7182ACPZN-R7
W.FL-R-SMT-1(10)
DF52-8S-0.8H(21)
MSP430F5328IRGCR
MSP430F5328IRGCT
0907-2-15-20-75-14-11-0
LT3495EDDB#TRPBF
832-4150-3EL18
2450AT42E0100E
PCA9554ARGTR
MAX8625AETD+T
CY62167EV30LL-45BVXIT
MTA18ADF4G72PZ-3G2F1
C1206C333F3GAC
845-20-6
PI2DBS32212XEBEX
462071208
AD5371BSTZ-REEL
PT5161LXS
ADR423ARMZ
FS1406-0600-AS
TCJD107M020R0055
TLP3450(ADV2TP,F(O
MSASJ21GBC6476MTNA01
1000158601
MP174AGS-Z
9ZXL1251EKILFT
031-5540-10RFX
RL1632R-R470-F-T5
EDH226M450A9TAA
MP9100-2.00-1%?
UVR1E102MPD
AD5321BRTZ-REEL7
RN73R1JTTD1002A10
IRLHS6376TRPBF
LMK04808BISQE/NOPB
UE76-3GA22-3800T
3S9A013-00591-7F
2321666-3
SIC648AED-T1-GE3
FA121A04-N07
144566
LT8645SEV#PBF
LT3091EDE#PBF
P4X-SPR6430-SRM7A-XCC
GY CS8PM1.23-KPKS-4-0-350-R18-XX
RS9113-NBZ-S1W-X78
MPMT10016001AT1
FT4232H MINI MODULE
0600360721
MIC2875-AYMT-TR
74LVC3G07GS,115
JACCL60C-1B
AG-3160-4588
MMIQ-1867H-2-TR
ADRF5032BCCZN
FPLCAV51NN6B-NK1
DG444DY+T
CRCW25121R00JNEGHP
DG444BDY-T1-E3
HM00-16606LF
224057-E
MAX6740XKSYD3+T
5-104068-3
PE42543C-X
SM15T18A
STM32L151VCH6TR
MX29GL128FLXGI-90GTR
MX25L51245GZ2I-10GTR
LTM2886CY-5I#PBF
0767639001
PCA9655EDTR2G
74AUP1G17GW,125
VT6X2T2R
RB531XNGTR
NC7SZ02P5X
SN74LVC1G02DCKR
74AUP1G80GM,115
DA9168-00U72
TLV320AIC3100IRHBT
10114587-005LF
Y16060R50000D9R
ADF6-50-07.5-L-4-2-A-TR
10160446-001RLF
LTC3526LEDC#TRMPBF
ISC240P06LM
STLM20W87F
SR34LF_R2_00001
MP20045DQ-33-LF-Z
PFC-W0603R-03-1001-B
FCA-325-BZ3
2391605-4
MT61M256M32JE-12 N:A
STM32U585QII6
2147210030
IRFM250隨著新的檢測儀器和相關(guān)電子設(shè)備的日益發(fā)展,X射線圖像采集越來越普遍,特別是在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域。新的研究傾向于使用同步加速光束,這種光束可以返回一個大的動態(tài)范圍、高對比度,最重要的是,減少產(chǎn)生高質(zhì)量圖像所需的輻射劑量。在這種情況下,半導(dǎo)體探測器可以滿足大多數(shù)用戶的需求。
數(shù)字射線攝影是一個偉大的現(xiàn)實,提供了非常高的分辨率和對比。截至最近,科學(xué)家們正在開展幾個項目,開發(fā)更先進(jìn)的半導(dǎo)體探測器,因為硅和鈰等常規(guī)半導(dǎo)體往往不能完全滿足醫(yī)療成像用高能光子的技術(shù)要求。這種研究圍繞著成本和材料的可獲得性,然而,這些問題是持續(xù)不斷地解決的。
IRFM250 結(jié)論
毫無疑問,半導(dǎo)體已經(jīng)成為現(xiàn)代醫(yī)學(xué)電子學(xué)中不可或缺的組成部分,加速了小型電子學(xué)的發(fā)展進(jìn)程。?可穿的 ,以及可持續(xù)監(jiān)測病人的便攜式裝置。這些部件廣泛用于各種醫(yī)療應(yīng)用,從成像系統(tǒng)、監(jiān)測裝置、治療工具和實驗室儀器,到假肢和植入物。
半導(dǎo)體被認(rèn)為是醫(yī)療工業(yè)的革命性材料,證明自己是傳統(tǒng)設(shè)備技術(shù)和性能增長的關(guān)鍵組成部分,同時降低成本,導(dǎo)致更精確和更可靠的結(jié)果。半導(dǎo)體技術(shù)的最新發(fā)展有望進(jìn)一步擴(kuò)大診斷和治療能力,為醫(yī)療創(chuàng)新的新時代鋪平道路。
