AM29F040B-90PI  Bluetooth SIG 會員 社區致力于提供創新產品，以提高Bluetooth? 技術的功能，并幫助形成新的市場趨勢。從無線音頻和可穿戴設備到資產跟蹤和電子貨架標簽解決方案，Bluetooth SIG 會員 公司不斷滿足消費者、商業和工業應用的需求。

AM29F040B-90PI  2024 年Bluetooth? 市場更新》概述了對低功耗音頻 、Auracast? 部署以及從Bluetooth Classic Audio 向低功耗音頻 過渡的最新預測。報告還重點介紹了電子貨架標簽 (ESL) 和環境物聯網等新的大容量市場的發展情況。我們很高興看到這些市場繼續發展。

2024Bluetooth? 市場更新》中的預測反映了眾多Bluetooth SIG 成員的不懈努力，他們正在開發創新產品，創造一個更加互聯的世界。

AM29F040B-90PI   詳細參數

參數名稱 參數值
是否無鉛 含鉛 含鉛
是否Rohs認證 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1984725091
零件包裝代碼 DIP
包裝說明 PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
針數 32
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.32.00.51
風險等級 9.19
YTEOL 0
最長訪問時間 90 ns
命令用戶界面 YES
數據輪詢 YES
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代碼 R-PDIP-T32
JESD-609代碼 e0
長度 42.037 mm
內存密度 4194304 bit
內存集成電路類型 FLASH
內存寬度 8
濕度敏感等級 3
功能數量 1
部門數/規模 8
端子數量 32
字數 524288 words
字數代碼 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
組織 512KX8
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 DIP

封裝等效代碼 DIP32,.6
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流溫度（攝氏度） 260
編程電壓 5 V
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 5.715 mm
部門規模 64K
最大待機電流 0.000005 A
最大壓擺率 0.04 mA
最大供電電壓 (Vsup) 5.5 V
最小供電電壓 (Vsup) 4.5 V
標稱供電電壓 (Vsup) 5 V
表面貼裝 NO
技術 CMOS
溫度等級 INDUSTRIAL
端子面層 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子節距 2.54 mm
端子位置 DUAL
切換位 YES
類型 NOR TYPE
寬度15.24 mm

AM29F040B-90PI  計劃于2026年量產第10代NAND，并決定采用低溫蝕刻技術。該技術允許在更低溫的環境下進行蝕刻，從而使存儲器的存儲單元間的存儲通孔（memory hole）以更快的速度形成。

而這種效率的提升不僅可以減少生產時間，還能大幅提高單位時間的生產量。相比傳統的電漿蝕刻法，低溫蝕刻的加工速度提升了約4倍，標志著存儲技術的一次重要革新。

2023年6月，Tokyo Electron成功開發出一種用于存儲芯片的通孔蝕刻技術。該設備可用于制造400層以上堆疊的3D NAND閃存芯片。TEL當時表示，該技術首次將電蝕刻應用帶入到低溫范圍中，產生了具有極高蝕刻速率的系統。這項創新技術可在短短33分鐘內實現10μm深的高縱橫比(晶圓上形成的圖案的深度與寬度之比)蝕刻。

AM29F040B-90PI 目前，市場傳出存儲廠商都將采用低溫蝕刻設備。其中，三星電子正在通過進口該設備的演示版本來評估相同的技術，而這些測試的結果將決定半導體制造中低溫蝕刻技術的未來采用和潛在的標準化。