88E1111-B2-BAB1I000背照技術的優勢
傳統的CMOS圖像傳感器采用的是正照技術（Frontside Illumination, FSI），即光線從傳感器的前表面進入。然而，這種設計存在一些固有的局限性。例如，光線在進入傳感器之前需要穿過金屬線和其他層，這會導致光線的散射和吸收，從而影響圖像質量。背照技術則解決了這些問題。在BSI結構中，光線從傳感器的背面進入，這樣可以避免光線穿過金屬層，從而大大提高了光的利用效率和圖像質量。
BSI技術的另一個重要優勢是提高了傳感器的感光度。由于光線可以更直接地到達光敏區域，BSI傳感器在低光環境下的性能得到了顯著提升。這對于許多應用場景，如夜間拍攝、醫療成像和安防監控等，都具有重要意義。
88E1111-B2-BAB1I000 X-FAB的技術創新
X-FAB在其CMOS傳感器工藝平臺中引入BSI技術，是其技術創新的又一重要里程碑。X-FAB擁有豐富的CMOS工藝經驗和深厚的技術積累，通過引入BSI技術，進一步提升了其CIS工藝平臺的性能和競爭力。
為了實現這一目標，X-FAB進行了大量的研發工作，優化了工藝流程和材料選擇，確保BSI技術能夠在其現有的CMOS工藝平臺上順利實施。此外，X-FAB還開發了專門的測試和驗證方法，以確保BSI傳感器的高質量和高可靠性。
88E1111-B2-BAB1I000
詳細參數
參數名稱 參數值
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1814872857
零件包裝代碼 BGA
包裝說明 ROHS COMPLIANT, TFBGA-117
針數 117
Reach Compliance Code not_compliant
HTS代碼 8542.39.00.01
風險等級 6.88
YTEOL 9
JESD-30 代碼 R-PBGA-B117
長度 14 mm
功能數量 1
端子數量 117
收發器數量 1
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 LBGA
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
座面最大高度 1.54 mm
標稱供電電壓 1 V
表面貼裝 YES
技術 CMOS
電信集成電路類型 ETHERNET TRANSCEIVER
端子形式 BALL
端子節距 1 mm
端子位置 BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
寬度 10 mm
毅創騰新到現貨：
MAX999EUK+T
MAX811TEUS+T
MAX13487EESA+T
MAX4372TEUK+T
DS2480B+T&R
DS3234SN#T&R
MAX823SEUK+T
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MAX4644EUT+T
DS24B33S+T&R
MAX4372FEUK+T
MAX3087EESA+T
MAX13253ATB+T
AM26LV32EIPWR
CC2640R2FRSMR
CSD85301Q2
DAC7551IDRNR
DRV5032FBDBZR
DRV8701ERGER
ISO3088DWR
LM22671MRX-ADJ/NOPB
LM2592HVSX-ADJ/NOPB
LM2597MX-5.0/NOPB
LM2664M6X/NOPB
LM2672MX-5.0/NOPB
LM2907MX-8/NOPB
LM2941LDX/NOPB
LM324MTX/NOPB
LM4862MX/NOPB
LM5165XDRCR
LM7301IMX/NOPB
LMC6482IMMX/NOPB
LMC662AIMX/NOPB
LMC7211AIM5X/NOPB
LMR16030PDDAR
LP2985AIM5X-5.0/NOPB
LP38690DTX-3.3/NOPB
OPA197IDBVR
OPA197IDR
OPA991IDBVR
REF3450TIDBVR
SN65HVD3082EDGKR
SN74AVC4T245RSVR
SN74LVC1T45DCKR
TLV2314IDGKR
TLV274QPWRG4Q1
TLV7031QDBVRQ1
TLV7034RTER
TLV9001SIDCKR
TPS22918DBVR
TPS3813K33DBVR
TS5A12301EYFPR
88E1111-B2-BAB1I000 挑戰與未來發展
盡管BSI技術具有眾多優勢，但其引入和實施也面臨一些挑戰。例如，BSI工藝的制造成本相對較高，需要額外的設備和材料。此外，BSI技術的良率控制和質量保證也需要特別關注，以確保量產過程中不會出現大規模的質量問題。
88E1111-B2-BAB1I000 然而，隨著技術的不斷進步和市場需求的推動，BSI技術的成本有望逐步下降。同時，通過不斷優化工藝流程和提升制造水平，BSI傳感器的良率和質量也將得到進一步提高。
展望未來，X-FAB將繼續致力于技術創新和工藝優化，不斷提升其CIS工藝平臺的性能和競爭力。通過引入BSI技術，X-FAB不僅為客戶提供了更高質量的FST3257QSCX傳感器解決方案，也為自身在全球半導體市場中的領先地位奠定了堅實基礎。
