AD8629ARZ 精密放大器 雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引腳 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 級(jí)晶圓代工節(jié)點(diǎn)的 Symmetric-Mosaic 架構(gòu)設(shè)計(jì)，專門針對(duì) DRAM 產(chǎn)品量身定制。

AD8629ARZ 之家注意到，三星電子內(nèi)存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 產(chǎn)品時(shí)表示：“憑借我們的 12nm 級(jí) 32Gb DRAM，我們已經(jīng)獲得了一種解決方案，可以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1TB (TB) 的 DRAM 模塊，使我們能夠理想地滿足人工智能 (AI) 和大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)高容量 DRAM 的日益增長(zhǎng)的需求。我們將繼續(xù)通過(guò)差異化的工藝和設(shè)計(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā) DRAM 解決方案，突破內(nèi)存技術(shù)的極限?！?/span>

AD8629ARZ 之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模塊需要硅通孔 (TSV) 工藝。然而，新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生產(chǎn) 128GB 模塊，三星表示這將使功耗降低約 10%。對(duì)于目前正在與人工智能不斷增長(zhǎng)的能源需求作斗爭(zhēng)的數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)受歡迎的解決方案。

三星最新的 DDR5 技術(shù)允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度創(chuàng)建 32 GB 和 48 GB DIMM，還支持雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。

AD8629ARZ  規(guī)格

產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Analog Devices Inc.
產(chǎn)品種類: 精密放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
通道數(shù)量: 2 Channel
GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 2.5 MHz
SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 1 V/us
Vos - 輸入偏置電壓 : 1 uV
Ib - 輸入偏流: 100 pA
電源電壓-最大: 5 V, 2.5 V
電源電壓-最小: 2.7 V, 1.35 V
工作電源電流: 1 mA
每個(gè)通道的輸出電流: 30 mA
CMRR - 共模抑制比: 140 dB
en - 輸入電壓噪聲密度: 22 nV/sqrt Hz
封裝 / 箱體: SOIC-8
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
關(guān)閉: No Shutdown
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C

系列: AD8629

封裝: Tube
商標(biāo): Analog Devices
雙重電源電壓: 1.35 V to 2.5 V
高度: 1.5 mm
輸入電壓范圍—最大: 5 V
長(zhǎng)度: 5 mm
最大雙重電源電壓: 2.5 V
最小雙重電源電壓: 1.35 V
工作電源電壓: 2.7 V to 5 V
產(chǎn)品: Precision Amplifiers
產(chǎn)品類型: Precision Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 130 dB
98
子類別: Amplifier ICs
類型: Chopper Stabilization
電壓增益 dB: 145 dB
寬度: 4 mm

單位重量: 540 mg

AD8629ARZ 除此之外，臺(tái)積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴(kuò)大到每月約10萬(wàn)片，這使得三星幾乎沒(méi)有趕上代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的機(jī)會(huì)。

報(bào)道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進(jìn)行了改進(jìn)。

然而，這并沒(méi)有為三星吸引更多客戶。一份報(bào)告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認(rèn)可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)將繼續(xù)選擇臺(tái)積電。

本月初，韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。

一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同。”

 以下是現(xiàn)貨庫(kù)存，有需求請(qǐng)出TP

ADI   LT3755EUD#TRPBF      5K

ADI     LTC3588EDD-1#TRPBF   10K

ADI   LT8330ES6#TRPBF    30K

  ALTERA   5M570ZF256I5N       11668pcs

ALTERA   5M1270ZF256C5N   9684pcs

ALTERA   EP3C25F324I7N       672pcs 

  ALTERA  5M1270ZF256I5N    2415pcs 

RENESAS     R7FA4M3AD3CFB#AA0        7140PCS 

AD8629ARZ  近年來(lái)，端側(cè)（Ena-to-Ena）人工智能在智能手機(jī)市場(chǎng)上熱度很高為了實(shí)現(xiàn)大語(yǔ)言模型的端側(cè)運(yùn)行，研究人員針對(duì)模型尺寸開(kāi)展了多種研究眾所周知，輕量化服務(wù)的實(shí)現(xiàn)需要縮小存儲(chǔ)和內(nèi)存的尺寸，提高帶寬?？紤]到端側(cè)大語(yǔ)言模型服務(wù)未來(lái)的發(fā)展，現(xiàn)在就必須開(kāi)始提升 UFS 接口速度。

三星正在研發(fā)一款新產(chǎn)品，這款產(chǎn)品使用 UFS 4.0 技術(shù)，但將通道數(shù)量從目前的 2 路提升到 4 路同時(shí)，預(yù)計(jì) 2025 年量產(chǎn)，順序讀取速度達(dá)到 8GB/s。三星稱，“提升順序讀取速度能夠縮短模型載入時(shí)間”。