IPW60R060C7 近年來，以石墨烯為代表的二維材料，已經成為了物理學和材料技術領域的重要發現之一。可知其具有較其它已知材料更堅固、光滑、輕量，且在導熱與導電性能上也更加優異。
基于此，DTU 研究人員設想，若能夠在這些材料身上實現可編程性，便可在 2D 層面上創造精致的“圖案”，進而迎合不同的應用需求、顯著改變相關材料的特性。
十多年來，DTU 科學家們一直在 1500 平方米的潔凈室設施中使用先進光刻機，致力于改進二維材料圖案化的新技術。
在丹麥國家研究基金會與 Graphene Flagship 的部分支持下，DTU 在納米結構石墨烯中心開展了長期深入的研究。
新消息是，DTU Nanolab 的電子束光刻系統，已經能夠實現 10nm 的工藝精度。計算機能夠準確預測石墨烯中圖案的形狀和大小，以創造新型電子產品。
IPW60R060C7 它們可以利用電子的電荷和量子特性 —— 比如自旋和谷自由度 —— 以通過低得多的功耗來開展高速計算。
然而這些計算要求的分辨率，較現有強的光刻系統所能實現的分辨率更高一級 —— 即原子級的解析力。
納米結構可改變 2D 材料的電子與光子特性
DTU 物理學教授兼組長 Peter B?ggild 表示：“若我們想要開辟量子電子學的未來，必須要實現 10nm 以下工藝、并盡可能地接近原子尺度”
IPW60R060C7 詳細參數
參數名稱 參數值
Source Content uid IPW60R060C7
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8151580251
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
風險等級 7.54
YTEOL 6.18
雪崩能效等級（Eas） 159 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (ID) 35 A
最大漏源導通電阻 0.06 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 135 A
表面貼裝 NO
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料SILICON
IPW60R060C7 她表示，這項技術的巧妙之處，在于將六邊形的氮化硼納米材料放在你想要“圖案化”的材料上，然后使用特定的蝕刻配方進行鉆孔。
過去幾年，我們開發的蝕刻工藝已將圖案尺寸縮小到了電子束光刻系統無法突破的大約 10 nm 極限之下。
以制作一個直徑為 20 nm 的圓孔為例，石墨烯中的孔隙可縮到 10 nm。若挖個三角形孔，新技術可將可縮出一個具有自銳角較小三角形。
通常情況下，當我們將圖案縮小時，它會變得不那么完美。不過得益于重構的新理論，我們可預測出較好的結構。
舉個例子，我們可以生產平面形的電子元透鏡。作為一種超緊湊的光學透鏡，其可在極高的頻率下展開電氣控制，且有望成為未來通信與生物技術的一個重要組成部分。
IPW60R060C7 新技術讓我們距離量子材料更近了一步
作為新研究的另一位關鍵人物，對納米物理擁有濃厚興趣的年輕學生 Dorte Danielsen 解釋稱：“超分辨率”結構的背后機理，目前仍不是很清楚。
對于這種意想不到的蝕刻行為，我們有幾種可能的解釋，但仍有很多不太明確的地方。即便如此，這對我們來說仍然是一項激動人心且非常實用的技術。
與此同時，對于全球數以千計的研究人員來說，這也是一個好消息，因為他們正在推動二維納米電子學與納米光子學的發展。
