TMS320F2812PGFA對于可編程晶振調整頻率可以直接使用說明進行操作。晶體振蕩器單元的實際驅動電平在驅動電平規格內。晶振作為電子產品中的必需品，廣泛應用于各個領域，存在各種問題，如晶振異常振蕩頻率、晶振異常振蕩頻率包括無頻率信號號輸出以及實際振蕩頻率與標稱頻率的差異等。

過高的驅動電平可能導致更高的振蕩頻率或更大的R1。如何衡量駕駛水平如果實際負載電容與規格中規定的負載電容不同，實際振蕩頻率可能與晶體單元的標稱頻率不同。這個頻率差可以通過以下措施來調整：

TMS320F2812PGFA電路板上的負載電容似乎大于6pF。因此，使用8pF作為負載電容會改變指定的30MHz應時晶體振蕩器單元。通過這種改變，實際振蕩頻率由30MHz降低到5ppm，頻率差可以調節，這些方面都是根據自己的需求進行選擇。

晶體單元的實際驅動電平超過其指定的最大值。重要的是，壓電應時晶振單元的實際驅動水平在驅動水平規格內。過高的驅動電平可能導致更高的振蕩頻率或更大的R1。請參考下面如何衡量駕駛水平：如果要降低驅動級別，可以采取以下措施：

TMS320F2812PGFA   詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid TMS320F2812PGFA
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1918011283
零件包裝代碼 QFP
包裝說明 GREEN, PLASTIC, LQFP-176
針數 176
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Philippines
ECCN代碼 3A991.A.2
HTS代碼 8542.31.00.01
風險等級 1.15
kg CO2e/kg 12
Average Weight (mg) 3041.25
CO2e (mg) 36495
Samacsys Description TMS320F2812PGFA, 32bit Digital Signal Processor 150MHz 256kb Flash EEPROM, 36kb RAM, 176-Pin LQFP
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
具有ADC YES
其他特性 ALSO OPERATES AT 1.8 SUPPLY AT 135MHZ
地址總線寬度 19
桶式移位器 NO
位大小 32
邊界掃描 YES
CPU系列 C28X
最大時鐘頻率 150 MHz
外部數據總線寬度 16
格式 FIXED POINT
集成緩存 NO
內部總線架構 MULTIPLE
JESD-30 代碼 S-PQFP-G176
JESD-609代碼 e4
長度 24 mm
低功率模式 YES
濕度敏感等級 3
外部中斷裝置數量 3
端子數量 176
計時器數量 8
片上數據RAM寬度 16
片上程序ROM寬度 16
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
PWM 通道 YES
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 LFQFP
封裝等效代碼 QFP176,1.0SQ,20
封裝形狀 SQUARE
封裝形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流溫度（攝氏度） 260
認證狀態 Not Qualified
RAM（字節） 36864
RAM（字數） 18432
ROM可編程性 OTPROM
篩選級別 AEC-Q100
座面最大高度 1.6 mm
最大壓擺率 230 mA
最大供電電壓 2 V
最小供電電壓 1.81 V
標稱供電電壓 1.9 V
表面貼裝 YES
技術 CMOS
溫度等級 INDUSTRIAL
端子面層 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子節距 0.5 mm
端子位置 QUAD
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
寬度 24 mm
uPs/uCs/外圍集成電路類型DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER

TMS320F2812PGFA通過改變外部負載電容，由于振蕩電路的高阻抗，實際驅動電平變低。在這種情況下，由于負載電容較小，應時晶振的實際振蕩頻率變高。因此，最好檢查實際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內。

晶體單元的振蕩頻率根據其規格中規定的負載電容進行分類。因此，如果實際負載電容與規格中規定的負載電容不同，實際振蕩頻率可能與晶體單元的標稱頻率不同。這個頻率差可以通過以下措施來調整：

TMS320F2812PGFA調整外部負載電容。為了改變外部負載電容，實際振蕩頻率變低。如果外部負載電容較大，請注意振蕩裕量會較低。外部負載電容較大時，振蕩幅度可能很小。更換不同負載電容的晶振單元。為了應用負載電容大的晶胞，實際振蕩頻率變高。比如：需要30MHz的頻率，用一個指定頻率為30MHz的晶振單元作為負載電容，額定頻率為6pF。確認實際振蕩從30MHz低至30ppm。振蕩電路可能無法在晶體單元的標稱頻率附近工作，這被稱為“不規則振蕩”，然后根據相關的說明操作即可。