功率段的傳遞函數(shù)有兩個(gè)由LC濾波器產(chǎn)生的極點(diǎn)和由輸出電容器的ESR產(chǎn)生的零點(diǎn)。不同的根據(jù)輸出的ESR值，可以使用各種補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)電容器。如果輸出電容器引入的零點(diǎn)有助于補(bǔ)償LC濾波器的雙極可采用II型補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。否則，類型必須使用補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)（有關(guān)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)選擇）。無(wú)論如何，補(bǔ)償循環(huán)的方法是引入零來(lái)獲得一個(gè)安全的相位裕度。L5980實(shí)現(xiàn)過(guò)電流保護(hù)感測(cè)流過(guò)功率MOSFET。由于功率MOSFET開(kāi)關(guān)活動(dòng)產(chǎn)生的噪聲，電流感應(yīng)在傳導(dǎo)的初始階段被禁用。這樣可以避免錯(cuò)誤地檢測(cè)到故障狀態(tài)。這個(gè)間隔通常被稱為“掩蔽”或“空白”。掩蔽約為200ns。當(dāng)檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)，根據(jù)操作條件。1.輸出電壓調(diào)節(jié)。當(dāng)檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)，功率MOSFET關(guān)閉和內(nèi)部參考（VREF）。
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這將使誤差放大器設(shè)置為零，并在軟啟動(dòng)（TSS，2048）內(nèi)保持此狀態(tài)時(shí)鐘周期）。在這段之后，一個(gè)新的軟啟動(dòng)階段發(fā)生，內(nèi)部引用開(kāi)始傾斜（參見(jiàn)圖8.a）。2.軟啟動(dòng)階段。如果達(dá)到過(guò)電流限制。功率MOSFET關(guān)閉實(shí)現(xiàn)了逐脈沖過(guò)流保護(hù)。在軟啟動(dòng)階段，在過(guò)流情況下，器件可以跳過(guò)脈沖以保持輸出電流常數(shù)等于電流限制。如果在“掩蔽”結(jié)束時(shí)當(dāng)電流高于過(guò)電流閾值時(shí)，功率MOSFET被關(guān)斷會(huì)跳過(guò)一個(gè)脈沖。如果，在次“掩蔽”結(jié)束時(shí)電流仍高于閾值，裝置將跳過(guò)兩個(gè)脈沖。這個(gè)這種機(jī)制是重復(fù)的，設(shè)備可以跳過(guò)多達(dá)7個(gè)脈沖。如果在最后在“屏蔽”中，電流低于過(guò)電流閾值的數(shù)量跳過(guò)的周期減少一個(gè)單位。在軟啟動(dòng)階段結(jié)束時(shí)，輸出電壓處于調(diào)節(jié)狀態(tài)。
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如果過(guò)電流持續(xù)存在，則會(huì)出現(xiàn)上述行為發(fā)生了。（見(jiàn)圖8.b）因此，過(guò)電流保護(hù)可以概括為在軟啟動(dòng)階段，輸出處于調(diào)節(jié)狀態(tài)，電流恒定。如果輸出是輸出電壓調(diào)節(jié)時(shí)對(duì)地短路，過(guò)電流觸發(fā)該設(shè)備在“打嗝”（電源）之間以2048個(gè)時(shí)鐘周期開(kāi)始循環(huán)MOSFET關(guān)斷。對(duì)負(fù)載無(wú)電流）和“恒流”，具有非常短的接通和開(kāi)關(guān)頻率降低（高達(dá)正常開(kāi)關(guān)頻率的八分之一）。看到了嗎圖30。短路行為。禁止功能允許將設(shè)備。帶INH引腳高于1.9V該裝置被禁用，功耗降低到30μA以下引腳低于0.6V，設(shè)備啟用。如果INH引腳保持浮動(dòng)，則內(nèi)部上拉確保引腳上的電壓達(dá)到抑制閾值，并且設(shè)備被禁用。該引腳也兼容VCC。熱關(guān)機(jī)模塊會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)，該信號(hào)會(huì)關(guān)閉連接處的功率級(jí)溫度超過(guò)150°C。
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